美国3D公司授予陈星弼的奖牌。

　　陈星弼（右）和胡思福在进行光刻分析。

　　学人小传

　　陈星弼（1931—2019），中国科学院院士、教授、博导，1952年毕业于同济大学电机系，毕业后在厦门大学电机系、南京工学院（现东南大学）无线电系担任助教。1956年到成都电讯工程学院（现电子科技大学）任教。1983年任成都电讯工程学院微电子科学与工程系系主任、微电子研究所所长。他是我国第一批学习及从事半导体研究的科技人员之一，电子工业部“半导体器件与微电子学”专业第一个博士生导师，国际著名半导体器件物理学家、微电子学家，国际半导体界著名的超结结构（Super Junction）的发明人，也是国际上功率器件的结终端理论的集大成者。他从1981年起开始对功率半导体器件进行研究，第一个提出了各种终端技术的物理解释及解析理论。他提出了两类纵向导电的器件新耐压结构，并作了唯一的三维电场分析结果，被国际学术界誉为功率器件的新里程碑。他发表200余篇学术论文，获得授权中美等国发明专利40余项，其中著名的超结发明专利US5216275被国际专利他引超过550次，并授权给国际主流半导体公司。因对高压功率MOSFET理论与设计的卓越贡献，他于2015年5月获得IEEE ISPSD（国际功率半导体器件与集成电路年会）颁发的最高荣誉“国际功率半导体先驱奖”，成为亚太地区首位获此殊荣的科学家。2018年5月，因发明超结器件成为国内首位入选IEEE ISPSD首届全球32位名人堂的科学家。

　　半导体功率器件，是电能/功率处理的核心器件，更是弱电控制与强电运行之间的沟通桥梁，在“中国制造”向“中国智造”转型过程中，在民族电子信息产业发展中发挥着重要作用。陈星弼院士为此付出了数十年的心血与智慧，直到生命最后一刻，仍念兹在兹。

　　2019年12月4日，这位被称作中国半导体功率器件领路人的科学家在成都去世，享年89岁。那条他常去实验室的路上，铺满了金黄的银杏叶，仿佛在怀念这位中国学人辉煌的科研人生，也似乎还在倾听他对我国功率器件取得进一步突破的梦想。

　　“我想陈先生心里想的是，还要再活十年、二十年，还要再为国家和社会作出新的贡献。所以陈先生是有言而未语，自己在坚持，希望能够对抗病魔。”陈星弼的学生、原四川省电子厅厅长蒋臣琦在看望病中的恩师时这样说。

　　是啊！陈星弼那样热爱生命，热爱科学。2019年10月，他还和学院的年轻人一起秋游都江堰；生病的前一天依然在实验室里工作；即使在病床上，他也不闲着，琢磨如何改进输液即将完毕时通知护士的方式。陈星弼的儿子感慨：“真的没有想到啊……他还有好多事情想做，好多研究可以做，有很多新的idea（想法），这是他最大的遗憾。”

　　可是，这位老者没有更多的时光了。2019年11月20日，陈星弼戴着无创呼吸机，在白细胞22000的情况下写下了这样一段话：“一生辗转千万里，莫问成败重几许，得之坦然，失之淡然。与其在别人的辉煌里仰望，不如亲手点亮自己的心灯，扬帆远航……”这是他最后的心语。

　　十几天后，陈星弼在他最爱的《命运》交响曲中离开了这个世界，带着未酬的凌云壮志，带着对祖国的无限热爱。